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Información Básica.
Descripción de Producto
Litio Niobate Thin Films en Insulator es una especie de POI (Piezoeléctrico en Insulator) oblea . Su estructura de secuencia apilada está hecha de substratos de soporte que pueden ser silicio, cuarzo, sílice fundida, zafiro o oblea de LN, la intercapa es óxido térmico SiO2 que funciona como aislante y la película de niobato de litio es la capa funcional sobre la capa de aislamiento.
Los sustratos diseñados por POI /LNOI permiten el diseño de filtros con factor de alta calidad, gran ancho de banda, muy baja sensibilidad a la temperatura y baja pérdida de inserción con una tecnología de fabricación de dispositivos sencilla. Estas obleas se desarrollan y utilizan para moduladores de alta velocidad, dispositivos DE SIERRA de factor Q alto, detectores ir, dispositivos THz.
Trabajamos con nuestro socio estratégico que ha experimentado en la tecnología de corte inteligente y la unión de obleas y el suministro de importante Piezoeléctrico capa en LN/LT desde los tamaños de 3" 4" 6" hasta 8" para construir la oblea especial con estructura multicapa.
Especificaciones para LNOI
| Capas | Parámetros | Especificaciones | |||
| Capa funcional superior | Material | Litio Niobato Tantanlate de litio | |||
| Diámetro | 3" | 4" | 6" | 8" | |
| Orientación de la superficie | Corte X o por solicitud | ||||
| Oritentación plana primaria | por solicitud | grad(°) | |||
| Orientación plana secundaria | por solicitud | ||||
| Espesor de película espesor medio | 300-600 | nm | |||
| Rugosidad frontal/cara | Pulido óptico | ||||
| Capa de aislamiento | Óxido enterrado espesor medio | 4600 | 4700 | 4800 | nm |
| Uniformidad del espesor del óxido enterrado | -5 | 0 | 5 | % | |
| Soporte sustrato | Material | SI/LN/ZAFIRO/CUARZO/ETC. | |||
| Diámetro | 3" | 4" | 6" | 8" | |
| Grosor total de la capa de soporte | 525 | 525 | 625 | 725 | |
| Método de crecimiento de dispositivos | CZ | CZ | ZVD | hidrotermal | |
| Orientación del dispositivo | {100} | 0,5 | grad(°) | ||
| Tipo de dopaje del dispositivo | N | N | |||
| Dispositivo dopante | Fos | ||||
| Acabado superficial | 10 | nm | |||
El objetivo principal de CQT es "ser un proveedor confiable de sustratos de microelectrónica primaria en el mundo de hoy". Toda la organización, comenzando con la alta dirección, ha trabajado constantemente para alcanzar este objetivo.
Nuestra reputación de calidad se basa en un compromiso con los procedimientos de diseño, fabricación, pruebas y gestión más nuevos y eficaces, incluyendo, pero no limitado a, diseño para la fabricación, control estadístico de procesos, fabricación ajustada y metodologías de mejora continua. Hemos tenido un sistema de Gestión de calidad IATF16949 completamente implementado y efectivo.
CQT se compromete a realizar todas sus operaciones de manera socialmente responsable, ética y sostenible para proteger el medio ambiente y garantizar la seguridad y la salud de nuestros empleados, clientes y comunidades circundantes. También estamos comprometidos con la mejora continua de todas las cuestiones medioambientales. CQT mantiene certificaciones ISO9001/ISO14001 y también implementa las normas EICC. E implementó el Código de Conducta de la Industria Eléctrica.