Fotodiodo InGaAs de banda ancha con bajo ruido para rru

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Detalles del producto

Información Básica.

No. de Modelo.
Broadband InGaAs Photo-diode
Paquete de Transporte
Box
Especificación
Small
Marca Comercial
ZG
Origen
Mianyang, China

Descripción de Producto

El fotodiodo InGaAs de banda ancha está formado por un chip de fotodiodo y un circuito básico, con la potencia óptica de saturación puede alcanzar 10dBm,miniaturizado y puede in situ sustituir EM169,salida de puerto RF SMA estándar.

Características
Banda ancha
Bajo nivel de ruido
Aplicaciones
RRU
Seguimiento y control de telemetría
Sistema de radar

Parámetro nominal máximo absoluto
Parámetro Símbolo Condición Mín Máx Unidad
Tensión de funcionamiento VPD - 3 9 V
Temperatura de almacenamiento TS - -55 85 ºC
Temperatura de funcionamiento Para - -40 70 ºC
Potencia óptica máxima recibida PIN - - 10 DBm

Parámetros
Parámetro Símbolo Condición Mín. Típ. Máx. Unidad
Potencia óptica de saturación PD - - 10 - DBm
El ancho de banda de modulación BW - 0,1 20 - GHz
Planicidad de amplitud AF - - 2 - DB
Capacidad de respuesta Re - - 0,85 - UA
Longitud de onda λ - 1260 1310/1550 1625 nm
Impedancia de salida RUIANDO - - 50 - Ω
Interfaz óptica PC FC/A (se puede personalizar)
Tipo de fibra Fibra monomodo estándar, diámetro 0,9mm, longitud 1m
Interfaz de radiofrecuencia (RFI) SMA
Tamaño 17,78mm*12,7mm*8,9mm

Broadband Ingaas Photo-Diode with Low Noise for Rru

Información para pedidos
ZG Longitud de onda Potencia de saturación Ancho de banda Conector
13=1310nm 10=10dbm 20=20GHZ FC/APC
15=1550nm     X
Broadband Ingaas Photo-Diode with Low Noise for Rru
Broadband Ingaas Photo-Diode with Low Noise for Rru
Broadband Ingaas Photo-Diode with Low Noise for Rru Broadband Ingaas Photo-Diode with Low Noise for Rru

 

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